أعلنت سامسونج عن الجيل الجديد من تقنيات الذاكرة والتخزين ثلاثية الأبعاد، إلا أن معظم هذه التقنيات الجديدة ستكون موجهة إلى مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، وليس إلى أجهزة الكمبيوتر الشخصية للمستخدمين.

وخلال معرض Future of Memory and Storage المقام في مدينة سانتا كلارا، كشفت الشركة عن أول نماذج مفاهيمية لذاكرة zHBM، وهي تعتمد على ذاكرة HBM المستخدمة بشكل رئيسي في مراكز البيانات، ومسرعات الذكاء الاصطناعي، وعدد محدود من بطاقات الرسوميات عالية الأداء.

تقنية zHBM الجديدة

تعتمد ذاكرة zHBM على تصميم جديد يضع ذاكرة HBM فوق مسرعات الذكاء الاصطناعي مباشرة بدلًا من وضعها بجانبها كما كان في السابق، وهو ما يساعد على رفع الأداء بما يصل إلى ثمانية أضعاف.

كما تستخدم التقنية الجديدة أسلوبًا متطورًا لربط الرقائق، ما يسمح بزيادة كثافة الذاكرة بأكثر من عشرة أضعاف مقارنة بتقنية HBM5 الحالية، مع تحسين كفاءة استهلاك الطاقة إلى ثلاثة أضعاف.

ذاكرة V-NAND بأكثر من 400 طبقة

كشفت سامسونج أيضًا عن جيل جديد من ذاكرة V-NAND المستخدمة في أقراص SSD وبطاقات الذاكرة ووحدات التخزين الأخرى.

وتحمل التقنية الجديدة اسم V10 BV-NAND، وتعتمد على بنية جديدة تسمح بتكديس أكثر من 400 طبقة من خلايا الذاكرة.

وقالت الشركة إن هذه التقنية ترفع كثافة الذاكرة بنحو 58% مقارنة بالجيل السابق V9، إلى جانب تحسين أداء القراءة والكتابة وعمليات الإدخال والإخراج.

تقنيات جديدة للذكاء الاصطناعي

كما أعلنت سامسونج عن تقنية zNAND-O، وهي جيل جديد من حلول V-NAND يجمع بين كفاءة استغلال المساحة وتحسين أداء الإدخال والإخراج وتقليل زمن الاستجابة، ليستهدف تطبيقات الذكاء الاصطناعي الطرفية.

واستعرضت الشركة أيضًا تقنية LPDDR5X-PIM، التي وصفتها بأنها أول ذاكرة LPDDR في العالم مزودة بتقنية المعالجة داخل الذاكرة، بما يسمح بتنفيذ عمليات معالجة البيانات داخل الذاكرة نفسها لتحسين الكفاءة.

الطلب على الذكاء الاصطناعي يرفع الأسعار

تعد سامسونج، إلى جانب شركة SK Hynix، من أكبر الشركات المسيطرة على إنتاج شرائح الذاكرة عالميًا.

لكن الشركتين تواجهان صعوبة في تلبية الطلب المتزايد على الذاكرة الناتج عن التوسع الكبير في تطبيقات الذكاء الاصطناعي.

وأدى ذلك إلى ارتفاع أسعار العديد من الأجهزة الإلكترونية، بما في ذلك أجهزة الألعاب والهواتف الذكية وأجهزة اللابتوب.